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横川 敏雄*; 前川 尚*
PNC TJ168 85-06, 27 Pages, 1985/03
酸化物ガラスにX線、電子線を照射するとガラス構造を反映していくつかの着色中心が形成される。本報告はこの着色中心の構造、生成過程に関しての基礎をなすものである。本報告ではまずガラス固化体の母体となるほうけい酸ガラスを対象に約10/SUP6Radの照射で生ずる点欠陥の光吸収スペクトルを測定し、ガラス構造ならびにガラス試料温度との関係を考察した。さらに2元系ほう酸ガラスに形成される着色中心ならびに少量ドープした塩化物イオンの存在で生ずるV 中心の生成過程についてパルスラジオリシスの手法で追跡した。測定結果は以下の点に要約できる。(1)可視部に吸収をもつ欠陥はガラス中の非架橋酸素ならびにそれと結合したNaイオンに関係するがNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3-SiO/SUB2系ガラスでは従来の熱力学的な解釈とも一致し、Na/SUB2/O/B/SUB2/O/SUB3濃度比が1以上の時にのみけい酸塩ガラス固有のSi-O/SUP-Na/SUP+構造単位から生ずる吸収が現れ、同濃度比が1以下の組成では、SiO/SUB2はもっぱらNa/SUB2/O-B/SUB2/O/SUB3 2元系を希釈する作用をしていることが認められた。(2)欠陥は照射後1 sで、すでに形成されるが試料の温度上昇とともにその濃度は減少した。300
400度Cで大部分が消失した。(3)塩化物イオンを含むガラスでも照射後1 sでは母ガラスの欠陥の他にCl/SUB2/SUP-中心を形成した。なお、Cl/SUB2/SUP-中心の熱的安定度は母ガラスによる欠陥よりも大きい事が認められた。(4)ほうけい酸ガラスでは、照射による点欠陥生成よりもむしろ構造的な内在する不混和領域についての変化を検討すべきことが示唆された。
田中 隆一; 須永 博美; 田村 直幸; 安東 俊郎; 家田 正之*
EIM-80-93, p.11 - 20, 1980/00
X,
線照射された絶縁体中の電子非平衡領域では、高速二次電子の挙動に起因する空間電荷の蓄積が予想される。臨界プラズマ試験では、プラズマが逃走電子モードになった場合は硬X線が生じ、JT-60の予想では、ポロイダル磁場コイル絶縁体(エポキシ樹脂)が10
R/hの桁の放射線場にさらされるが、これによって絶縁体表面近傍では正の過剰電荷蓄積による高電界が形成される。この問題についてはじめて定量的検討を試みた。電荷挙動の計算のため、一次元の照射モデルに対して過剰電堆積率、同堆積分布および深部線量分布を与え、split Faraday cupによって放射線誘起電導度と線量率の関係を実験的に与えた。これらをもとにして連続方程式およびポアッソン方程式を解いた。その結果表面近傍の飽和電界強度はMV/cmのオーダーに達することがわかった。計算結果に影響を与える主要なパラメータおよび照射後の電荷漏洩などを考慮し、高電界による絶縁崩壊の可能性について検討した。
のX線照射効果; 熱励起電流測定西畑 保雄; 中西 悠介*; 阪上 潔*
no journal, ,
量子常誘電体KTaOにX線を照射すると、低温において誘電率の異常が観察されることをこれまで報告してきた。試料はX線が照射された情報を記憶しており、誘電率の実部および虚部に履歴が観察される(メモリー効果)。紫外光による誘電異常も報告されているが、X線のようなメモリー効果は観察されていない。我々は誘電率の緩和時間の変化は、X線によるある種の格子欠陥の生成とネットワークの形成が原因ではないかと考え、格子欠陥のエネルギー準位を評価することを試みた。試料を2.5Kまで冷却し、X線を2時間照射した後に昇温しながら熱励起電流を測定すると、6, 27, 38Kでピークが観察された。それぞれのピークに対応した不純物準位の深さは0.002, 0.020, 0.031eVと評価された。この浅いレベルは効率的に光電子を励起することを可能にし、誘電率の異常をもたらしていると考えられる。
